数值孔径科幻影视

推动相干衍射成像的分辨率极限

在实际光学成像系统中，横向分辨率通常由R=k×λ/NA定义，其中λ代表照明波长，NA表示成像系统的数值孔径，k是与照明条件、信号畸变和样品特性等多个变量相关的成像因子。在阿贝分辨率极限中，为0.5，规定了理想成像系统最终可分辨距离的理论极限。由于光波不可避免的

一方面，AI数据中心的需求持续旺盛，HBM依旧供不应求，另一方面，库存见底，整个存储行业迎来上行周期，两个利好要素相互叠加，让过了两三年苦日子的存储厂商，终于踏入了新的春天。

在计算机芯片领域，数字越大越好：更多核心、更高GHz 频率和更高 FLOP 性能，这些都是工程师和用户共同追求的。然而，有一个指标却与之相反：越小越好。欢迎来到半导体制造和技术节点（也称为工艺节点）的世界。

日前，联发科官宣2nm芯片（天玑9600）完成设计流片，成为首批采用该技术的公司之一，预计明年底量产。值得注意的是，他们在量产前整整一年就公布了这一进程，这个提前量确实非同寻常。

半导体行业正在重新评估其制造最先进芯片的长期路线图。高数值孔径（High-NA）光刻技术曾被视为实现亚2纳米节点微型化的必由之路，但现在正被人们与其他选择进行权衡。

当三星开始开发并最终量产 2 纳米以下晶圆时，采购 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机的成本将变得高昂。但如果三星想与半导体领域最大的竞争对手台积电竞争，就必须承担这一风险。